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材料現(xiàn)代測試技術(shù) 版權(quán)信息
- ISBN：9787502453350
- 條形碼：9787502453350 ; 978-7-5024-5335-0
- 裝幀：暫無
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
材料現(xiàn)代測試技術(shù) 內(nèi)容簡介
本書介紹了材料現(xiàn)代測試技術(shù)理論基礎(chǔ)以及現(xiàn)代材料常用的各種測試技術(shù)，包括衍射分析技術(shù)、電子顯微分析技術(shù)、熱分析技術(shù)、光譜分析技術(shù)、色譜分離技術(shù)等共11章。本書闡述了各種測試儀器組件工作原理、測試技術(shù)過程特點以及這些技術(shù)在材料研究中的應(yīng)用情況。本書內(nèi)容力求簡明、實用，具有適用于多學(xué)科教學(xué)的特點，每章的內(nèi)容提要、學(xué)習(xí)目標(biāo)及思考題便于學(xué)生自主學(xué)習(xí)，符合應(yīng)用型人才培養(yǎng)目標(biāo)要求。
本書可作為冶金、石油、機械、化工工程、材料制備工程、材料加工工程等專業(yè)的本科生教材，也可供相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。
材料現(xiàn)代測試技術(shù) 目錄
1 緒論
1.1 材料結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
1.1.1 原子能態(tài)及其特征
1.1.2 分子運動與能態(tài)
1.1.3 原子的磁矩和原子核自旋
1.1.4 固體的能帶結(jié)構(gòu)
1.1.5 晶體結(jié)構(gòu)
1.1.6 倒易點陣
1.1.7 晶帶
1.2 電磁輻射與材料的相互作用
1.2.1 電磁輻射與波粒二象性
1.2.2 物質(zhì)波
1.2.3 輻射的吸收與發(fā)射
1.2.4 輻射的散射
1.2.5 光電離
1.1 材料結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
1.1.1 原子能態(tài)及其特征
1.1.2 分子運動與能態(tài)
1.1.3 原子的磁矩和原子核自旋
1.1.4 固體的能帶結(jié)構(gòu)
1.1.5 晶體結(jié)構(gòu)
1.1.6 倒易點陣
1.1.7 晶帶
1.2 電磁輻射與材料的相互作用
1.2.1 電磁輻射與波粒二象性
1.2.2 物質(zhì)波
1.2.3 輻射的吸收與發(fā)射
1.2.4 輻射的散射
1.2.5 光電離
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材料現(xiàn)代測試技術(shù) 節(jié)選
《材料現(xiàn)代測試技術(shù)》，本書介紹了現(xiàn)代材料測試技術(shù)理論基礎(chǔ)以及現(xiàn)代材料常用的各種測試技術(shù)，包括衍射分析技術(shù)、電子顯微分析技術(shù)、熱分析技術(shù)、光譜分析技術(shù)、色譜分離技術(shù)等，共11章。全書注重從測試技術(shù)原理角度闡述各種測試儀器組件工作原理、測試技術(shù)過程特點以及這些技術(shù)在材料研究中的應(yīng)用情況。內(nèi)容力求簡明、實用，具有適用于多學(xué)科教學(xué)的特點。
材料現(xiàn)代測試技術(shù) 相關(guān)資料
插圖：5.8.3低真空掃描電鏡用掃描電鏡觀察非導(dǎo)體的表面形貌，以往需將樣品首先進行干燥處理，然后在其表面上噴鍍導(dǎo)電層，以消除樣品上堆積的電子。由于噴鍍的導(dǎo)電層很薄，因此樣品表面的形貌細節(jié)無大損傷。但導(dǎo)電層畢竟改變了樣品表面的化學(xué)組成和晶體結(jié)構(gòu)，使這兩種信息的反差減弱，而且干燥容易引起脆性材料微觀結(jié)構(gòu)的變化；更為重要的是干燥終止了材料的正常反應(yīng)，使反應(yīng)動力學(xué)不能連續(xù)進行。低真空是為了解決不導(dǎo)電樣品分析的一種工作模式。其關(guān)鍵技術(shù)是采用了一級壓差光闌，實現(xiàn)了兩級真空。發(fā)射電子束的電子室和使電子束聚焦的鏡筒必須置于清潔的高真空狀態(tài)，一般用1個機械泵和擴散泵可以滿足。而樣品室不一定要太高的真空，可用另一個機械泵來實現(xiàn)樣品室的低真空狀態(tài)。當(dāng)聚焦的電子束進入低真空樣品室后，與殘余的空氣分子碰撞并將其電離，這些離子化帶有正電的氣體分子在一個附加電場的作用下向充電的樣品表面運動，與樣品表面充電的電子中和，這樣就消除了非導(dǎo)體表面的充電現(xiàn)象，從而可實現(xiàn)非導(dǎo)體樣品自然狀態(tài)的直接觀察。低真空掃描電鏡包括環(huán)境掃描電鏡（ESEM），既可在低真空下工作，也可在高真空下工作。場發(fā)射電子槍的環(huán)境掃描電鏡在低真空下的分辨率已達到普通掃描電鏡在高真空下的水平，且使用時，高真空、低真空和環(huán)境三個模式可以根據(jù)情況任意選擇，并且在三種情況下都配有二次電子探測器，都能達到3.5nm的二次電子像分辨率。
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