目 錄 第1章 導(dǎo)論 1 習(xí)題 4 第2章 晶體二極管 5 2.1 二極管的基本特性―單向?qū)щ娦?5 2.1.1 由電子產(chǎn)品供電引出的整流需求 5 2.1.2 二極管的端口伏安關(guān)系 6 2.2 二極管的伏安特性及其參數(shù) 12 2.2.1 二極管的伏安特性曲線圖 12 2.2.2 二極管的主要參數(shù)及數(shù)據(jù)手冊(cè) 13 2.3 含二極管電路的電路分析方法 14 2.3.1 單向?qū)щ娔Ｊ较碌拇笮盘?hào)分析方法 （含直流分析） 14 2.3.2 正向?qū)Ｊ较碌慕涣餍⌒盘?hào) 分析方法 16 2.3.3 擊穿狀態(tài)下的二極管建模― 齊納二極管 18 2.4 常見(jiàn)的二極管應(yīng)用電路 20 2.4.1 限幅電路 20 2.4.2 邏輯電路 22 2.4.3 穩(wěn)壓電路 23 2.4.4 整流電路 24 2.5 半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ) 28 2.5.1 本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體 28 2.5.2 PN結(jié)及其特性 31 本章小結(jié) 35 習(xí)題 35 第3章 場(chǎng)效應(yīng)管 37 3.1 放大器的基本概念及模型 37 3.1.1 放大器的定義及傳輸特性曲線 37 3.1.2 放大器的主要參數(shù)及建模 39 3.1.3 放大器的帶寬 43 3.2 MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理 43 3.2.1 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管器件結(jié)構(gòu) 43 3.2.2 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的 工作原理 44 3.3 MOSFET的特性及建模分析 47 3.3.1 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的特性 47 3.3.2 其他類型的MOSFET特性 50 3.3.3 襯底效應(yīng) 53 3.3.4 場(chǎng)效應(yīng)管門(mén)電路的實(shí)現(xiàn) 53 3.3.5 CMOS數(shù)字邏輯電路 55 3.3.6 場(chǎng)效應(yīng)管的分析方法基礎(chǔ) 57 3.4 MOSFET放大器直流偏置電路 61 3.4.1 各種常用偏置電路 62 3.4.2 直流偏置電路的分析與設(shè)計(jì) 63 3.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的分析 65 3.5.1 放大電路的性能指標(biāo) 65 3.5.2 放大器的3種組態(tài) 65 3.5.3 共源放大器 66 3.5.4 接源極電阻的共源放大器 67 3.5.5 共柵放大器 69 3.5.6 共漏放大器或源極跟隨器 71 3.5.7 3種組態(tài)放大器的比較 72 本章小結(jié) 72 習(xí)題 73 第4章 雙極型晶體管 78 4.1 晶體管的器件結(jié)構(gòu)及工作原理 78 4.1.1 器件結(jié)構(gòu) 78