第1章 輻射環(huán)境
1．1 引言
1．2 輻射環(huán)境的種類
1．2．1 空間環(huán)境
1．2．2 核環(huán)境
1．2．3 高能物理實(shí)驗(yàn)環(huán)境
1．2．4 器件制造引入的輻射環(huán)境
1．3 小結(jié)

第2章 輻射效應(yīng)相關(guān)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2．1 引言
2．2 本征半導(dǎo)體及非本征半導(dǎo)體
2．2．1 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
2．2．2 本征半導(dǎo)體
2．2．3 非本征半導(dǎo)體
2．2．4 淺能級(jí)、深能級(jí)、雜質(zhì)的補(bǔ)償作用
2．3 半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及復(fù)合
2．3．1 載流子的產(chǎn)生
2．3．2 載流子的復(fù)合
2．4 載流子的遷移率
2．4．1 遷移率的特性
2．4．2 載流子的擴(kuò)散系數(shù)
2．5 PN結(jié)二級(jí)管
2．6 肖特基結(jié)二極管
2．7 MOS電容及MOSFET
2．7．1 表面勢(shì)
2．7．2 耗盡層
2．7．3 表面反型層
2．7．4 MOS電容
2．7．5 MOSFET
2．8 直接有輻射環(huán)境的半導(dǎo)體工藝
2．8．1 NMOSFET工藝流程
2．8．2 離子注入摻雜
2．8．3 干法刻蝕
2．9 小結(jié)
……

第3章 輻射效應(yīng)的一般概念
第4章 半導(dǎo)體材料的輻射效應(yīng)
第5章 Si半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)
第6章 GaAs半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)
第7章 光電子器件的輻射效應(yīng)
第8章 Si集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
第9章 納米級(jí)CMOS集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
第10章 半導(dǎo)體器件輻射效應(yīng)的一些新研究動(dòng)向
第11章 輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)及測(cè)試技術(shù)

參考文獻(xiàn)