第1章 晶格缺陷對硫化礦物性質及可浮性的影響 1．1 硫化礦物可浮性的差異 1．2 礦物的晶格缺陷 1．3 晶格缺陷對硫化礦物半導體性質的影響 1．4 晶格缺陷與可浮性 參考文獻第2章 固體物理及密度泛函理論概述 2．1 固體物理歷史簡介 2．2 品體的結構 2．3 倒易點陣和**布里淵區 2．4 布洛赫定理 2．5 密度泛函理論 參考文獻第3章 晶格缺陷對硫化礦物體相陛質的影響 3．1 計算模型和參數 3．2 品格缺陷的形成能 3．3 晶格缺陷對硫化礦物品胞參數的影響 3．4 晶格缺陷對硫化礦物半導體類型和帶隙的影響 3．5 品格缺陷對硫化礦物費米能級的影響 3．6 晶格缺陷對硫化礦物前線軌道的影響 3．7 晶格缺陷對硫化礦物電子結構的影響 3．8 品格缺陷對硫化礦物電荷和鍵極性的影響 3．9 晶格缺陷對硫化礦物電荷密度的影響 參考文獻第4章 晶格缺陷對硫化礦物表面結構和性質的影響 4．1 硫化礦物表面結構模型 4．2 空位缺陷對硫化礦物表面電子結構的影響 4．3 雜質對硫化礦物表面電子結構的影響 4．4 雜質對硫化礦表面電荷和鍵極性的影響 4．5 晶格缺陷對硫化礦表面電荷密度的影響 參考文獻第5章 晶格缺陷對硫化礦物表面氧化的影響 5．1 氧分子在理想硫化礦物表面的吸附 5．2 空位缺陷對氧分子吸附的影響 5．3 雜質原子對閃鋅礦表面吸附氧分子的影響 5．4 雜質原子對黃鐵礦表面吸附氧分子的影響 5．5 雜質原子對方鉛礦表面吸附氧分子的影響 參考文獻第6章 晶格缺陷對硫化礦物活化的影響 6．1 硫化礦物表面銅活化模型 6．2 空位缺陷對硫化礦物表面銅活化的影響 6．3 雜質對硫化礦物表面銅活化的影響 6．4 含缺陷黃鐵礦表面吸附銅原子的電子態密度 參考文獻第7章 晶格缺陷對捕收劑分子在硫化礦物表面吸附的影響 7．1 礦物表面空位缺陷對捕收劑分子吸附的影響 7．2 雜質原子對黃藥分子在黃鐵礦表面吸附的影響 7．3 雜質原子對黃藥、黑藥和硫氮分子在方鉛礦表面吸附的影響 7．4 雜質對閃鋅礦表面黃藥作用產物的影響 參考文獻第8章 晶格缺陷對硫化礦物抑制行為的影響 8．1 晶格缺陷對黃鐵礦堿性介質抑制的影響 8．2 晶格缺陷對硫氫根吸附的影響 8．3 晶格缺陷對氰化物分子吸附的影響 8．4 品格缺陷對鉻酸根分子在方鉛礦表面吸附的影響 參考文獻第9章 晶格缺陷對方鉛礦表面吸附熱動力學行為的影響 9．1 摻雜方鉛礦的合成與表征 9．2 雜質對方鉛礦浮選行為的影響 9．3 雜質對方鉛礦表面微量吸附熱的影響 9．4 雜質對方鉛礦表面吸附黃藥動力學的影響 參考文獻第10章 晶格缺陷對方鉛礦電化學行為的影響 10．1 雜質對方鉛礦電極活性的影響 10．2 不同介質中含雜質方鉛礦的氧化行為 10．3 含雜質方鉛礦與黃藥的電化學作用 10．4 雜質對氫氧化鈣抑制方鉛礦電化學行為的影響 10．5 雜質對硫化鈉抑制方鉛礦電化學行為的影響 參考文獻